Zaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.
Authors
- dr hab. inż. Wiesław Kordalski link open in new tab ,
- Marta Pribbenow link open in new tab ,
- Bogusław Boratyński,
- Marek Panek,
- mgr inż. Jerzy Woźniak link open in new tab ,
- Iwona Zborowska-Lindert,
- Beata Ściana
Additional information
- Category
- Publikacja w czasopiśmie
- Type
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Language
- polski
- Publication year
- 2008
