Przy użyciu selektywnej epitaksji warstw molekularnych (MLE) wytworzono w GaAs balistyczne i tunelowe tranzystory o indukcji elektrostatycznej (SIT), z kanałami w skali 10 nm. Szacowany czas przelotu elektronów jest krótszy od 2×10-14 s. Metoda MLE została również wykorzystana do wykonania diod generacyjnych TUNNETT działających w oparciu o czas przelotu i tunelowe wstrzykiwanie elektronów. Z użyciem diod TUNNETT wygenerowano częstotliwość 706 GHz.wersja angielska - Ballistic and tunneling GaAs static induction transistors (SIT) with 10-nm scale channels were fabricated with area-selective molecular layer epitaxy (MLE). Estimated electron transit time is shorter than 2×10-14 s. MLE was also applied for fabrication of 706 GHz oscillating transit-time diodes with tunnel injection of electrons - TUNNETTs.
Authors
- dr hab. inż. Piotr Płotka link open in new tab ,
- Jun-Ichi Nishizawa
Additional information
- Category
- Aktywność konferencyjna
- Type
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Language
- angielski
- Publication year
- 2008
