Cienkie warstwy kompleksu [Cd{SSi(O-But)3}(S2CNEt2)]2 zostały osadzone na podłożach Si przy użyciu techniki MAPLE (ablacja laserowa z zamrożoną matrycą). Otrzymanie warstw CdS było możliwe dzięki zastosowaniu obróbki termicznej podłoży z naniesionym prekursorem. Powierzchnia filmów była analizowana pod kątem morfologii przy użyciu mikroskopii sił atomowych (AFM) oraz pomiarów elipsometrycznych (SE).
Authors
- Andrei Rotaru,
- dr inż. Anna Mietlarek-Kropidłowska link open in new tab ,
- Catalin Constantinescu,
- Nicu SCăRIşOREANU,
- Marius Dumitru,
- dr hab. inż. Michał Strankowski link open in new tab ,
- Petre Rotaru,
- Valentin Ion,
- Cristina Vasiliu,
- prof. dr hab. inż. Barbara Becker link open in new tab ,
- Maria Dinescu
Additional information
- Category
- Publikacja w czasopiśmie
- Type
- artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
- Language
- angielski
- Publication year
- 2009
