W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC oraz EMI. Wysokoczęstotliwościowe przekształtniki z tranzystorami SiC JFET dają nowe możliwości regulacji układów z silnikami wysokoobrotowymi (100 tys. obr./min.), co potwierdzają przedstawione wyniki badań symulacyjnych i eksperymentalnych generacji napięcia o częstotliwości podstawowej harmonicznej 1500Hz.
Authors
Additional information
- Category
- Aktywność konferencyjna
- Type
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Language
- polski
- Publication year
- 2012
