Main results stemming from a new quasi 2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
Authors
Additional information
- DOI
- Digital Object Identifier link open in new tab 10.15199/ele-2014-131
- Category
- Aktywność konferencyjna
- Type
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Language
- angielski
- Publication year
- 2014
