W pracy zaprezentowano nowy małosygnałowy model tranzystora MOS, w którymuwzględnia się efekt nasycenia prędkości nośników. Model jest spójny fizycznie i może być stosowany w analizie dowolnej konfiguracji włączenia tranzystora.
Authors
Additional information
- Category
- Aktywność konferencyjna
- Type
- materiały konferencyjne indeksowane w Web of Science
- Language
- angielski
- Publication year
- 2002
