Publications Repository - Gdańsk University of Technology

Page settings

polski
Publications Repository
Gdańsk University of Technology

Treść strony

Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.

Bazując na nowym nie quasi-statycznym modelu małosygnałowym tranzystora MOS, przeanalizowano i zweryfikowano eksperymentalnie aż do 30 GHz małosygnałową admitancję wejściową i transadmitancję tego elementu - dwa ważne i budzące najwięcej wątpliwości parametry macierzy admitancyjnej tranzystora.

Authors

Additional information

Category
Publikacja w czasopiśmie
Type
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Language
polski
Publication year
2004

Source: MOSTWiedzy.pl - publication "Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz." link open in new tab

Portal MOST Wiedzy link open in new tab