Przedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku ruchomego pomijanego w modelach opartych na przybliżeniu łagodnego kanału. Przedstawiono rezultaty obliczeń numerycznych rozkładów gęstości ładunku ruchomego wzdłuż kanału tranzystora, otrzymane za pomocą ATLAS'a - symulatora pracy przyrządów półprzewodnikowych.
Authors
- dr hab. inż. Wiesław Kordalski link open in new tab ,
- Daniel Tomaszewski
Additional information
- Category
- Publikacja w czasopiśmie
- Type
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Language
- polski
- Publication year
- 2005
