Repozytorium publikacji - Politechnika Gdańska

Zaproponowano strategię modelowania, w której po określeniu postaci modelu dobiera się numeryczne metody obliczeniowe stosowane w symulacji. Przedstawiono opracowany uogólniony, nieliniowy model tranzystora mocy IGBT. Przyjęto, że do określenia parametrów tego modelu powinna wystarczać znajomość standardowych, katalogowych para-metrów i charakterystyk. Przedstawiono model zaciskowy o klasycznej strukturze, odwzorowujący z wystarczającą dokładnością dynamikę łącznika oraz jego charakterystyki statyczne.

Autorzy

• dr inż. Krzysztof Iwan link otwiera się w nowej karcie ,
• dr hab. inż. Jarosław Łuszcz link otwiera się w nowej karcie