Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie funkcji podziału prądu źródła tranzystora.
Autorzy
- dr hab. inż. Wiesław Kordalski link otwiera się w nowej karcie ,
- Bogusław Boratyński,
- Marek Panek,
- prof. dr hab. inż. Michał Polowczyk link otwiera się w nowej karcie ,
- Iwona Zborowska-Lindert,
- Beata Ściana,
- Krzysztof Szymański,
- mgr inż. Jerzy Woźniak link otwiera się w nowej karcie
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Język
- polski
- Rok wydania
- 2007
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET" link otwiera się w nowej karcie
