Zaprezentowano wyniki badań numerycznych, z których wynika, że w tranzystorze MOS występuje zjawisko łagodnego odrywania się kanału i zjawisko powiększania grubości kanału. Obydwa zjawiska można uwzględnić w quasi-dwuwymiarowym modelowaniu pracy tranzystora polowego, dzięki czemu można opracowywać dokładniejsze modele analityczne takiego przyrządu półprzewodnikowego.
Autorzy
- Marek Panek,
- dr hab. inż. Wiesław Kordalski link otwiera się w nowej karcie ,
- Mariusz Sitek
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Język
- polski
- Rok wydania
- 2007
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne" link otwiera się w nowej karcie
