Wyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.
Autorzy
- dr hab. inż. Wiesław Kordalski link otwiera się w nowej karcie ,
- Lucyna Damaszk link otwiera się w nowej karcie ,
- Bogusław Boratyński,
- Marek Panek,
- mgr inż. Jerzy Woźniak link otwiera się w nowej karcie ,
- Iwona Zborowska-Lindert,
- Beata Ściana
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Język
- polski
- Rok wydania
- 2008
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET" link otwiera się w nowej karcie
