W pracy przedstawiono badania przewodnictwa elektrycznego (w zakresie 5-280K) warstw NbN-SiO2 o grubości 450 nm. Warstwy uzyskano poprzez azotowanie otrzymanych metodą zol-żel warstw Nb2O5-SiO2, o różnym stosunku molowym Nb2O5/SiO2. Azotowanie takich warstw w temperaturze 1200C prowadzi do otrzymania metalicznych granul NbN w amorficznej matrycy SiO2. Struktura warstw była badana mikroskopem sił atomowych (AFM) oraz metodą dyfrakcji rentgenowskiej (XRD). Zależność przewodnictwa elektrycznego w funkcji temperatury została opisana na gruncie modelu proponowanego w literaturze dla układów o słabym nieuporządkowaniu. W żadnej z badanych warstw nie zaobserwowano przejścia nadprzewodzącego.
Autorzy
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Język
- angielski
- Rok wydania
- 2008
