Artykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży, technologii i konstrukcji diod Schottky'ego i tranzystorów FET. Przedstawiono w sposób opisowy badania przyrządów kompercyjnych, głównie produkcji CREE, diod Schottky'ego oraz wyniki aplikacji tych przyrządów w typowym układzie energoelektrycznym.
Autorzy
- Andrzej Kubiak,
- Mariusz Sochacki,
- Zbigniew Lisik,
- Jan Kazimierz Szmidt,
- prof. dr hab. inż. Alicja Konczakowska link otwiera się w nowej karcie ,
- Roman Barlik
Informacje dodatkowe
- DOI
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego link otwiera się w nowej karcie 10.1109/epepemc.2008.4635631
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
- Język
- angielski
- Rok wydania
- 2009
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "Power devices in Polish National Silicon Carbide Program" link otwiera się w nowej karcie
