W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w układzie przerywacza szeregowego.
Autorzy
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
- Język
- polski
- Rok wydania
- 2010
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "Behawioralny model tranzystora IGBT" link otwiera się w nowej karcie
