W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają na budowę przekształtników o sprawności blisko 98%. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/μs powoduje problemy EMC oraz EMI.
Autorzy
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
- Język
- polski
- Rok wydania
- 2012
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET" link otwiera się w nowej karcie
