Repozytorium publikacji - Politechnika Gdańska

Zastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz laboratoryjnych opracowanego na Politechnice Gdańskiej dwustopniowego układu sterowania bramkowego ze sprzężeniem typu DC dla tranzystorów SiC JFET 1,2kV typu normally-off. dziesiątek kV/μs powoduje problemy EMC oraz EMI.

Autorzy

• dr hab. inż. Marek Adamowicz link otwiera się w nowej karcie ,
• Jędrzej Pietryka link otwiera się w nowej karcie ,
• Sebastian Giziewski link otwiera się w nowej karcie ,
• mgr inż. Mariusz Rutkowski link otwiera się w nowej karcie ,
• prof. dr hab. inż. Zbigniew Krzemiński link otwiera się w nowej karcie