W artykule przedstawiono wyniki badań jakości tranzystorów CMOS 0.12um z Ta2O5 użytym jako dielektryk bramki. Przedstawione są charakterystyki statyczne elementów oraz wyniki pomiarów szumów prowadzonych w celu określenia jakości warstwy dielektrycznej Ta2O5, a także wyniki badań przeciążeniowych elementów.
Autorzy
- M. Fadlallah,
- dr inż. Arkadiusz Szewczyk link otwiera się w nowej karcie ,
- C. Giannakopoulos,
- B. Cretu,
- F. Monsieur,
- T. Devoivre,
- J. Jomaah,
- G. Ghibaudo
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Język
- angielski
- Rok wydania
- 2002
