Przeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.
Autorzy
- Agata Zdyb,
- Jan Marian Olchowik,
- Dariusz Szymczuk,
- Janina Mucha,
- Krzysztof Zabielski,
- Marian Mucha,
- prof. dr hab. inż. Wojciech Sadowski link otwiera się w nowej karcie
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Język
- angielski
- Rok wydania
- 2002
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures" link otwiera się w nowej karcie
