Przedstawiono model generacji szumów małoczęstotliwosciowych tranzystora MOS. Model został użyty do symulacji szumów cienkotlenkowych tranzystorów MOS. Wyniki symulacji porównano z danymi pomiarowymi. Zaprezentowano sposób wykorzystania pomiarów szumów m.cz. do wyznaczania niektórych parametrów charakteryzujących tranzystory MOS.
Autorzy
- dr inż. Arkadiusz Szewczyk link otwiera się w nowej karcie ,
- Jan A. Chroboczek
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Aktywność konferencyjna
- Typ
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Język
- angielski
- Rok wydania
- 2004
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "A Model for Low Frequency Noise Generation in MOSFETs." link otwiera się w nowej karcie
