Przedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej może być nawet 1000 razy większa od analogicznej czułości czujnika Popovic'a i Baltes'a.
Autorzy
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Aktywność konferencyjna
- Typ
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Język
- polski
- Rok wydania
- 2004
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego." link otwiera się w nowej karcie
