Repozytorium publikacji - Politechnika Gdańska

Przedstawiono rezultat wstępnych prac nad modelem IGBT przydatnym do symulacji wymagających odwzorowania stanów dynamicznych tranzystora. Zrezygnowano z metody potencjałów węzłowych na rzecz metody zmiennych stanu. Sprawdzono zachowanie klasycznego modelu z nieliniowymi pojemnościami zaciskowymi, których charakterystyki dobrano na podstawie danych katalogowych. Przedstawiono przykład rozszerzenia modelu.

Autorzy

• dr inż. Krzysztof Iwan link otwiera się w nowej karcie ,
• dr hab. inż. Marek Turzyński link otwiera się w nowej karcie ,
• prof. dr hab. inż. Piotr Chrzan link otwiera się w nowej karcie