W pracy przedstawiono analizę numeryczną nowego czujnika pola magnetycznego, którego struktura różni się od znanych MOS MAGFET-ów horyzontalnym, a nie pionowym podziałem drenów. Analizowano wpływ rozmiarów kanału w dwudrenowej strukturze MESFET wykonanej z GaAs na zmiany prądu drenu wywołane polem magnetycznym. Dla wybranej topologii struktury wykonano serię dwuwymiarowych symulacji zjawisk transportu nośników ładunku w kanale tranzystora dla dwóch przypadków: braku i obecności pola magnetycznego.
Authors
- Marek Panek,
- dr hab. inż. Wiesław Kordalski link open in new tab ,
- Beata Ściana,
- Iwona Zborowska-Lindert,
- Bogusław Boratyński
Additional information
- Category
- Publikacja w czasopiśmie
- Type
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Language
- polski
- Publication year
- 2008
