W pracy przedstawiono analizę numeryczną nowego czujnika pola magnetycznego, którego struktura różni się od znanych MOS MAGFET-ów horyzontalnym, a nie pionowym podziałem drenów. Analizowano wpływ rozmiarów kanału w dwudrenowej strukturze MESFET wykonanej z GaAs na zmiany prądu drenu wywołane polem magnetycznym. Dla wybranej topologii struktury wykonano serię dwuwymiarowych symulacji zjawisk transportu nośników ładunku w kanale tranzystora dla dwóch przypadków: braku i obecności pola magnetycznego.
Autorzy
- Marek Panek,
- dr hab. inż. Wiesław Kordalski link otwiera się w nowej karcie ,
- Beata Ściana,
- Iwona Zborowska-Lindert,
- Bogusław Boratyński
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Język
- polski
- Rok wydania
- 2008
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego" link otwiera się w nowej karcie
