Wyznaczono strukturę elektronową wybranych silanotioli X3SiSH (dla X=H, C2H5, OCH3, F, Cl i Br) oraz powstalych z nich anionów. Geometrię i funkcje falowe wyznaczono przy użyciu teorii funcjonałów gęstości elektronowej DFT. Przeanalizowano wpływ efektów anomerycznych oraz wielkości calki nakładania sigma(Si-S) na obserwowane skrócenie wiązania Si-S przy deprotonowaniu silanotioli. Podano nowe wyjaśnienie wyjątkowo niskiej kwasowości (t-BuO)3SiSH w stosunku do innych trialkoksysilanotioli.Opisano wspolne cechy występujące w strukturach rentgenowskich silanotiolanów miedziowców. Wyjaśniono tendencję do tworzenia heteroleptycznych kompleksów jednordzeniowych oraz tetramerycznych kompleksów homoleptycznych w ujęciu teorii orbitali frontalnych.
Authors
Additional information
- DOI
- Digital Object Identifier link open in new tab 10.1016/j.theochem.2008.05.006
- Category
- Publikacja w czasopiśmie
- Type
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Language
- angielski
- Publication year
- 2008
