Wyznaczono strukturę elektronową wybranych silanotioli X3SiSH (dla X=H, C2H5, OCH3, F, Cl i Br) oraz powstalych z nich anionów. Geometrię i funkcje falowe wyznaczono przy użyciu teorii funcjonałów gęstości elektronowej DFT. Przeanalizowano wpływ efektów anomerycznych oraz wielkości calki nakładania sigma(Si-S) na obserwowane skrócenie wiązania Si-S przy deprotonowaniu silanotioli. Podano nowe wyjaśnienie wyjątkowo niskiej kwasowości (t-BuO)3SiSH w stosunku do innych trialkoksysilanotioli.Opisano wspolne cechy występujące w strukturach rentgenowskich silanotiolanów miedziowców. Wyjaśniono tendencję do tworzenia heteroleptycznych kompleksów jednordzeniowych oraz tetramerycznych kompleksów homoleptycznych w ujęciu teorii orbitali frontalnych.
Autorzy
Informacje dodatkowe
- DOI
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego link otwiera się w nowej karcie 10.1016/j.theochem.2008.05.006
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Język
- angielski
- Rok wydania
- 2008
