Omówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
Authors
- prof. dr hab. inż. Alicja Konczakowska link open in new tab ,
- Bogdan Wilamowski
Additional information
- Category
- Publikacja monograficzna
- Type
- rozdział, artykuł w książce - dziele zbiorowym /podręczniku w języku o zasięgu międzynarodowym
- Language
- angielski
- Publication year
- 2010
Source: MOSTWiedzy.pl - publication "Noise in semiconductor devices" link open in new tab
