Omówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
Autorzy
- prof. dr hab. inż. Alicja Konczakowska link otwiera się w nowej karcie ,
- Bogdan Wilamowski
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja monograficzna
- Typ
- rozdział, artykuł w książce - dziele zbiorowym /podręczniku w języku o zasięgu międzynarodowym
- Język
- angielski
- Rok wydania
- 2010
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "Noise in semiconductor devices" link otwiera się w nowej karcie
