Publications Repository - Gdańsk University of Technology

Przedstawiono nową metodę monitorowania zużycia tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) bezpośrednio w układzie napędowym. Proponowana metoda przeznaczona jest do śledzenia dwóch istotnych objawów starzenia modułów IGBT: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego oraz uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu. Monitorowana jest rezystancja cieplna między półprzewodnikiem a podstawą modułu oraz napięcie nasycenia kolektor-emiter IGBT.

Authors

• dr inż. Wojciech Śleszyński link open in new tab ,
• prof. dr hab. inż. Janusz Nieznański link open in new tab ,
• dr inż. Artur Cichowski link open in new tab ,
• dr hab. inż. Jarosław Łuszcz link open in new tab ,
• mgr inż. Andrzej Wojewódka link open in new tab