Repozytorium publikacji - Politechnika Gdańska

Przedstawiono nową metodę monitorowania zużycia tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) bezpośrednio w układzie napędowym. Proponowana metoda przeznaczona jest do śledzenia dwóch istotnych objawów starzenia modułów IGBT: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego oraz uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu. Monitorowana jest rezystancja cieplna między półprzewodnikiem a podstawą modułu oraz napięcie nasycenia kolektor-emiter IGBT.

Autorzy

• dr inż. Wojciech Śleszyński link otwiera się w nowej karcie ,
• prof. dr hab. inż. Janusz Nieznański link otwiera się w nowej karcie ,
• dr inż. Artur Cichowski link otwiera się w nowej karcie ,
• dr hab. inż. Jarosław Łuszcz link otwiera się w nowej karcie ,
• mgr inż. Andrzej Wojewódka link otwiera się w nowej karcie