Tematem artykułu są badania wysokonapięciowegotranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnikaobniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótkącharakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych,a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażupowierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problemchłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanieporównawcze dwóch układów chłodzenia. Wykazano, żezaproponowany układ jest ponad dwa razy bardziej wydajny niżzalecany przez producenta. W głównej części opracowaniazaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przekształtnika.Osiągnięto sprawność > 92 % dla układu twardo przełączającegoo częstotliwości pracy 200 kHz. Tym samym potwierdzonomożliwość budowania wysokosprawnych przekształtnikówz tranzystorami GaN
Authors
Additional information
- Category
- Publikacja w czasopiśmie
- Type
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Language
- polski
- Publication year
- 2015
