Bazując na półempirycznym modelu wiązań kowalencyjnych w krzemie wyznaczono energie międzypowierzchni GaAs-Si. Obliczona energia międzypowierzchni GaAs-Si zależna jest od orientacji podłoża Si. Minimalna energia międzypowierzchniowa wyznacza odpowiednią konfigurację atomów w pobliżu powierzchni, która określa optymalne warunki heteroepitaksji GaAs na podłożach Si.
Authors
- Agata Zdyb,
- Dariusz Szymczuk,
- Jan Marian Olchowik,
- prof. dr hab. inż. Wojciech Sadowski link open in new tab ,
- Janina Mucha,
- Krzysztof Zabielski,
- Marian Mucha
Additional information
- Category
- Publikacja w czasopiśmie
- Type
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Language
- angielski
- Publication year
- 2002
Source: MOSTWiedzy.pl - publication "GaAs-Si interfacial energy determination" link open in new tab
