Bazując na półempirycznym modelu wiązań kowalencyjnych w krzemie wyznaczono energie międzypowierzchni GaAs-Si. Obliczona energia międzypowierzchni GaAs-Si zależna jest od orientacji podłoża Si. Minimalna energia międzypowierzchniowa wyznacza odpowiednią konfigurację atomów w pobliżu powierzchni, która określa optymalne warunki heteroepitaksji GaAs na podłożach Si.
Autorzy
- Agata Zdyb,
- Dariusz Szymczuk,
- Jan Marian Olchowik,
- prof. dr hab. inż. Wojciech Sadowski link otwiera się w nowej karcie ,
- Janina Mucha,
- Krzysztof Zabielski,
- Marian Mucha
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Język
- angielski
- Rok wydania
- 2002
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "GaAs-Si interfacial energy determination" link otwiera się w nowej karcie
