Przedstawiono wyniki pomiarów i analizy szumów tranzystorów MOSFET z izolatorem bramki wykonanym z SiO2 i HfO2. Wyniki pomiarów wykorzystano do oszacowania gęstości aktywnych stanów na powierzchni użytego tlenku i porównano z wynikami otrzymanymi metodą charge-pumping.
Authors
- Jan A. Chroboczek,
- Charles Leroux,
- Thomas Ernst,
- dr inż. Arkadiusz Szewczyk link open in new tab ,
- Kruno Romanjek,
- Gerard Ghibaudo
Additional information
- Category
- Aktywność konferencyjna
- Type
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Language
- angielski
- Publication year
- 2003
