Przedstawiono wyniki pomiarów i analizy szumów tranzystorów MOSFET z izolatorem bramki wykonanym z SiO2 i HfO2. Wyniki pomiarów wykorzystano do oszacowania gęstości aktywnych stanów na powierzchni użytego tlenku i porównano z wynikami otrzymanymi metodą charge-pumping.
Autorzy
- Jan A. Chroboczek,
- Charles Leroux,
- Thomas Ernst,
- dr inż. Arkadiusz Szewczyk link otwiera się w nowej karcie ,
- Kruno Romanjek,
- Gerard Ghibaudo
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Aktywność konferencyjna
- Typ
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Język
- angielski
- Rok wydania
- 2003
