W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.
Authors
- dr hab. inż. Wiesław Kordalski link open in new tab ,
- prof. dr hab. inż. Michał Polowczyk link open in new tab ,
- Janusz Czerwiński,
- Jerzy Dzierżko,
- Lech Dobrzański
Additional information
- Category
- Publikacja w czasopiśmie
- Type
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Language
- polski
- Publication year
- 2004
