W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.
Autorzy
- dr hab. inż. Wiesław Kordalski link otwiera się w nowej karcie ,
- prof. dr hab. inż. Michał Polowczyk link otwiera się w nowej karcie ,
- Janusz Czerwiński,
- Jerzy Dzierżko,
- Lech Dobrzański
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Język
- polski
- Rok wydania
- 2004
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego." link otwiera się w nowej karcie
