Repozytorium publikacji - Politechnika Gdańska

In the paper authors present two methods, which allows to identify the RTS noise in noise signal of semiconductor devices. The first one was elaborated to identify the RTS noise and also to estimate the number of its levels. The second one can be used to estimate all of the parameters of Gaussian and non-Gaussian components in the noise signal in a frequency domain.

Autorzy

• prof. dr hab. inż. Alicja Konczakowska link otwiera się w nowej karcie ,
• dr inż. Barbara Stawarz-Graczyk link otwiera się w nowej karcie