Transport and noise properties of silicon solar cells in darkness and under illumination have been studied. The measurements were carried out for both reverse and forward bias of the device. The changes in the sample behaviour are due to the variation of PN junction dynamic resistance and, also, the occurence of both 1/f and generation-recombination noise components
Autorzy
- Jiri Vanek,
- Zdenek Chobola,
- dr inż. Lech Hasse link otwiera się w nowej karcie
Informacje dodatkowe
- Kategoria
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Język
- angielski
- Rok wydania
- 2004
Źródło danych: MOSTWiedzy.pl - publikacja "Effect of illumination on noise of silicon solar cells" link otwiera się w nowej karcie
